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DRAM价格飙升，HBM陷入困境
发布时间：
2026-04-29
来源：内容编译自chosun。
今年第二季度，通用DRAM价格的上涨趋势比预期更为强劲。与市场研究机构预测的需求在第一季度激增后将逐渐放缓相反，全球对三星电子和SK海力士的DRAM供应需求反而有所增加。然而，据业内人士透露，由于DRAM产能已分配给高带宽内存（HBM），扩大通用DRAM产能仍然面临挑战，导致难以满足市场需求。
据业内人士29日透露，市场研究公司TrendForce最初预测今年第一季度通用DRAM价格将上涨55%至60%，但随后将预测值上调至90%至95%，较最初预测值提高了35个百分点。加上第二季度预计还将上涨58%至63%，市场趋势由第一季度价格暴涨后的企稳期转变为第二季度价格的进一步上涨。
主要原因是三星电子和SK海力士难以满足通用DRAM的需求，因为HBM专用DRAM的产量固定不变。这两家公司占据全球DRAM市场70%以上的份额，随着它们减少通用DRAM的产量，较为简单的DRAM产品的利润率已经超过了高价值HBM产品的4-5倍。据报道，三星电子半导体事业部第一季度的“意外业绩”更多地是由DRAM而非HBM推动的。
HBM对DRAM整体产能的影响日益加剧。一位熟悉三星电子的消息人士解释说：“向HBM的转型对供应的冲击比传统的产品组合变化更大。随着HBM技术的进步，它消耗更多的DRAM，并延长制程周期，使得像通用DRAM那样灵活的应对措施难以实施。”美光此前曾表示，HBM的生产所需产能约为DDR5的三倍。
TrendForce 分析指出，尽管 PC DRAM 需求预测有所下调，但供应商减少了对 PC 制造商和内存模块公司的出货量，导致部分厂商因配额不足而不得不以更高的价格采购产品。预计第二季度消费级 DRAM 价格也将上涨 45% 至 50%。仅 3 月份，DDR4 4Gb 的平均价格就上涨了 20% 以上，而 DDR3 和 DDR2 的价格在同月也上涨了 20% 至 40%。
即使通用DRAM价格大幅上涨，削减HBM产量仍然面临挑战。三星电子和SK海力士正在争夺HBM4（第六代HBM）市场的领导地位，并与英伟达、博通和OpenAI等主要客户签署了长期合同。由于HBM比通用DRAM能带来更稳定的长期利润，这些公司别无选择，只能在短期内减少收入损失的情况下，加大对HBM的投入。
业内人士认为，这些供应瓶颈可能会持续到今年下半年。虽然DRAM制造商需要重新配置生产线以提高通用DRAM的出货量，但HBM需要客户认证以及复杂的封装/后处理工艺，这使得短期调整难以实现。一位半导体行业人士表示：“现在的问题不仅是价格高昂，还有供货量不足。对于客户而言，无法获得所需的数量可能会扰乱产品发布计划，从而使定价权大幅向供应商倾斜。”
与此同时，DRAM价格飙升加剧了PC、智能手机和服务器制造商的成本负担。内存成本占比更高的入门级智能手机和低端PC面临着更大的价格压力。服务器厂商也在竞相争夺用于AI服务器的HBM内存和高容量DDR5内存模块，这进一步加剧了内存行业的供需失衡。
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